Chapter11 金属化工艺;Chapter11.1导电材料及导电薄膜;导电材料要求1;导电材料要求2;金属互连;金属化;金属化要求;互连技术发展1;互连技术发展2;不同CD互连线厚度及寄生电容;多层互连芯片示意1;多层互连芯片示意2;多层互连芯片示意3;铜-低k介质互连1;铜-低k介质互连2;导电薄膜1;导电薄膜2;11.1.1 多晶硅;多晶硅2;多晶硅3;11.1.2 金属硅化物;金属硅化物2;金属硅化物3;自对准金属硅化物1;自对准金属硅化物2;金属硅化物特性1;金属硅化物特性2;硅化钛TiSi2优缺点;硅化钛TiSi2工艺过程1;硅化钛TiSi2工艺过程2;硅化钛TiSi2制备工艺1;硅化钛TiSi2制备工艺2;硅化钨WSi2;硅化钴CoSi2;硅化钴CoSi2的特点;硅化钴CoSi2的工艺制程;镍硅化物1;镍硅化物2;11.1.3金属钛Ti;金属钛Ti;金属钛Ti;11.1.4 氮化钛TiN;氮化钛TiN;氮化钛TiN;氮化钛TiN;氮化钛TiN;11.1.5 金属钨W;金属钨W;金属钨W;金属钨W;11.1.6 金属钽;Chapter11.2导电薄膜制备工艺;金属CVD工艺1;金属CVD工艺2;金属CVD工艺3;金属PVD工艺1;金属PVD工艺2;金属PVD工艺3;11.2.1 钨CVD工艺;钨CVD工艺2;钨CVD工艺3;钨CVD工艺4;钨CVD工艺5;选择性钨CVD工艺1;选择性钨CVD工艺2;选择性钨CVD工艺3;整面全区钨CVD工艺;整面全区钨CVD成核过程1;整面全区钨CVD成核过程2;整面全区钨CVD成核过程3;整面全区钨CVD成核过程4;整面全区钨CVD成核过程5;整面全区钨CVD主淀积过程1;整面全区钨CVD主淀积过程2;整面全区钨CVD主淀积过程3;钨CVD工艺过程1;钨CVD工艺过程2;钨CVD工艺过程3;钨塞CVD工艺面临的挑战;11.2.2 硅化钨CVD工艺;硅化钨CVD工艺2;硅化钨CVD工艺3;11.2.3钛CVD和PVD工艺;钛CVD工艺;钛PVD工艺1;钛PVD工艺2;钛PVD工艺3;钛PVD工艺4;11.2.4 氮化钛CVD工艺1;氮化钛CVD工艺2;氮化钛CVD工艺3;氮化钛CVD工艺4;氮化钛CVD工艺5;Chapter11.3铝及铝铜合金工艺;11.3.1 铝金属特性;铝合金面接触电阻;铝结尖刺1;铝结尖刺2;铝结尖刺3;铝结尖刺防止措施;铝电迁移现象1;铝电迁移现象2;铝电迁移现象3;铝电迁移现象4;铝电迁移现象5;铝电迁移现象6;铝及铝合金制备工艺;11.3.2铝CVD工艺;铝CVD工艺2;铝CVD工艺3;11.3.3 铝铜合金PVD工艺1;铝铜合金PVD工艺2;铝铜合金PVD工艺3;铝铜合金PVD工艺4;铝铜合金PVD工艺5;铝铜合金PVD工艺6;铝铜合金PVD工艺7;铝铜合金PVD工艺8;铝铜合金PVD工艺9;铝??合金PVD工艺10;铝铜合金PVD工艺11;铝铜合金PVD工艺12;铝铜合金PVD工艺13;Chapter11.4铜互连工艺;双重镶嵌铜连线技术的挑战;不同工艺通孔填充;双重镶嵌铜互连工艺示意1;双重镶嵌铜互连工艺示意2;双重镶嵌铜互连工艺示意3;双重镶嵌铜互连工艺示意4;预清洗1;预清洗2;阻挡层1;阻挡层2;铜籽晶层1;铜籽晶层2;铜籽晶层3;铜化学电镀1;铜化学电镀2;铜化学电镀3;铜化学电镀4