电力电子技术基础知到智慧树期末考试答案题库2025年浙江大学

高压功率MOSFET器件，沟道电阻占主要成分。（）

答案:错

逆变器的PWM优化技术有（）。

答案:全桥倍频SPWM技术；有选择性消谐波的PWM技术；调制波叠加零序分量的三相SPWM技术

逆变器功率主电路拓扑包含（）

答案:半桥逆变器；全桥逆变器；二极管箝位型多电平逆变器；H桥级联型多电平逆变器

肖特基功率二极管相比于PN结功率二极管，具有以下哪些特性（）

答案:低导通电压；短开关时间；阻断电压低

肖特基功率二极管比PN结功率二极管的导通电压高。（）

答案:错

肖特基功率二极管是利用金属与半导体之间的势垒制成的二极管