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文档摘要

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磁控溅射法制备二硫化钼基光热转换薄膜及其性能研究

一、引言

随着科技的发展，光热转换技术已成为众多领域的研究热点。其中，二硫化钼（MoS2）因其独特的物理和化学性质，如高比表面积、良好的光吸收性能和光热转换效率等，在光热转换领域具有广泛的应用前景。磁控溅射法作为一种有效的薄膜制备技术，为二硫化钼基光热转换薄膜的制备提供了可能。本文将详细介绍磁控溅射法制备二硫化钼基光热转换薄膜的工艺流程，分析其性能特点，为该领域的进一步研究提供参考。

二、磁控溅射法的基本原理及设备

磁控溅射法是一种物理气相沉积技术，通过高能粒子轰击靶材表面，使靶材表面的原子或分子脱离母体，溅射到基底上形成薄膜。磁控溅射设备主要由真空系统、靶材、基底、磁场系统和电源系统等部分组成。

三、二硫化钼基光热转换薄膜的制备

（一）材料选择与靶材制备

选用高纯度的二硫化钼粉末作为靶材材料，通过高温烧结、球磨等工艺制备成靶材。

（二）磁控溅射法制备薄膜

将靶材和基底放入磁控溅射设备中，在一定的真空度下进行磁控溅射。调整溅射功率、工作气压等参数，控制薄膜的厚度和结构。在基底上制备出均匀、致密的二硫化钼薄膜。

四、二硫化钼基光热转换薄膜的性能研究

（一）光吸收性能分析

利用紫外-可见-近红外光谱仪对二硫化钼基光热转换薄膜的光吸收性能进行测试。结果表明，该薄膜具有较高的光吸收率，特别是在可见光区域的光吸收率达到90%