突破性能瓶颈：SiC超结VDMOS的深度剖析与创新优化设计

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代社会对能源效率和可持续发展的关注度不断提高，电力电子技术在各个领域的应用愈发广泛，从新能源汽车、可再生能源发电到智能电网和工业自动化，电力电子器件都扮演着关键角色。在众多电力电子器件中，碳化硅（SiC）超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC超结VDMOS）因其卓越的性能优势，成为了研究和发展的焦点。

传统的硅（Si）基功率器件在面对高电压、高频率和高温等应用场景时，逐渐暴露出其局限性。Si材料较小的禁带宽度、击穿电场和热导率，限制了器件在高功率、高电压和高频率下的性能表现。随