半导体专业校招笔试题目及答案
一、单项选择题（每题2分，共10题）
1.半导体中，空穴是（）。
A.带正电的离子
B.带正电的电子空位
C.带负电的离子
D.带负电的电子
答案：B
2.硅的原子序数是（）。
A.14
B.13
C.12
D.15
答案：A
3.下列哪种半导体材料常用于发光二极管（）。
A.硅
B.锗
C.氮化镓
D.碳化硅
答案：C
4.PN结加正向电压时（）。
A.扩散运动大于漂移运动
B.扩散运动小于漂移运动
C.扩散运动和漂移运动平衡
D.无运动
答案：A
5.半导体中的杂质原子，按其在半导体中的作用可分为（）。
A.施主杂质和受主杂质
B.间隙杂质和替位杂质
C.正电杂质和负电杂质
D.金属杂质和非金属杂质
答案：A
6.以下哪种不是半导体的特性（）。
A.掺杂性
B.热敏性
C.超导性
D.光敏性
答案：C
7.在半导体制造中，光刻技术主要用于（）。
A.掺杂
B.生长薄膜
C.图形转移
D.封装
答案：C
8.半导体的禁带宽度（）。
A.是一个固定值
B.随温度升高而增大
C.随温度升高而减小
D.与温度无关
答案：C
9.对于N型半导体，多数载流子是（）。
A.空穴
B.电子
C.离子
D.光子
答案：B
10.半导体器件工作时，主要涉及到的物理过程是（）。
A.光电效应
B.热电效应
C.载流子的输运
D.磁电效应
答案：C
二、多项选择题（每题2分，共10题）
1.以下哪些是半导体材料（）。
A.硅
B.锗
C.砷化镓
D.铜
E.银
答案：ABC
2.影响半导体载流子迁移率的因素有（）。
A.杂质浓度
B.温度
C.晶体结构
D.电场强度
E.光照
答案：ABCD
3.半导体器件的封装主要起到（）作用。
A.保护芯片
B.散热
C.电气连接
D.美观
E.增加重量
答案：ABC
4.以下哪些是常见的半导体制造工艺（）。
A.扩散
B.离子注入
C.化学气相沉积
D.物理气相沉积
E.蚀刻
答案：ABCDE
5.PN结的特性包括（）。
A.单向导电性
B.电容效应
C.击穿特性
D.光电特性
E.磁电特性
答案：ABC
6.半导体中的散射机制主要有（）。
A.电离杂质散射
B.晶格散射
C.载流子间散射
D.光子散射
E.声子散射
答案：ABC
7.以下哪些属于半导体光电器件（）。
A.光电二极管
B.发光二极管
C.激光二极管
D.晶体管
E.电阻
答案：ABC
8.在半导体中，费米能级的位置（）。
A.与杂质浓度有关
B.与温度有关
C.与晶体结构有关
D.与光照有关
E.与电场有关
答案：AB
9.衡量半导体材料质量的指标有（）。
A.晶体完整性
B.杂质含量
C.少数载流子寿命
D.颜色
E.硬度
答案：ABC
10.以下关于半导体的说法正确的是（）。
A.本征半导体是纯净的半导体
B.杂质半导体的导电性能比本征半导体好
C.半导体中的载流子只有电子
D.半导体的电学性质与温度密切相关
E.所有半导体都能发光
答案：ABD
三、判断题（每题2分，共10题）
1.本征半导体中，电子和空穴的浓度相等。（）
答案：对
2.对于P型半导体，空穴是少数载流子。（）
答案：错
3.半导体的禁带宽度越大，其导电性越好。（）
答案：错
4.PN结反向偏置时，电流几乎为零。（）
答案：对
5.离子注入可以精确控制杂质浓度和深度。（）
答案：对
6.所有的半导体材料在常温下都具有明显的半导体特性。（）
答案：错
7.半导体中的杂质越多，其载流子迁移率越高。（）
答案：错
8.光电二极管在反向偏置下工作。（）
答案：对
9.化学气相沉积可以生长多种半导体薄膜。（）
答案：对
10.半导体器件的性能不受外界环境温度的影响。（）
答案：错
四、简答题（每题5分，共4题）
1.简述PN结的形成过程。
答案：P型半导体中多数载流子是空穴，N型半导体中多数载流子是电子。当P型和N型半导体接触时，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，在交界面附近，P区一侧因失去空穴留下带负电的离子，N区一侧因失去电子留下带正电的离子，形成空间电荷区即PN结。
2.说明半导体掺杂的作用。
答案：半导体掺杂可以显著改变其电学性质。施主杂质掺杂可使半导体成为N型，增加电子浓度；受主杂质掺杂可使半导体成为P型，增加空穴浓度，从而提高半导体的导电能力。
3.简述光刻技术在半