(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号CN107688250B
(45)授权公告日2020.07.03
(21)申请号201710855251.1G02F1/1334(2006.01)
G02F1/1343(2006.01)
(22)申请日2017.09.20
G02F1/1337(2006.01)
(65)同一申请的已公布的文献号
G02F1/1333(2006.01)
申请公布号CN107688250A
审查员黄亚明
(43)申请公布日2018.02.13
(73)专利权人香港理工大学深圳研究院
地址518057广东省深圳市南山区高新技
术产业园南区粤兴一道18号香港理工
大学产学研大楼205室
(72)发明人张需明李腾浩陈庆明
(74)专利代理机构长沙星耀专利事务所(普通
合伙)43205
代理人许伯严
(51)Int.Cl.
G02F1/13(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页
(54)发明名称
一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器
件
(57)摘要
本发明公开了一种基于液晶电光波导的光
学交叉互连器件，包括光学交叉互连器件本体，
所述光学交叉互连器件本体由基于液晶电光波
导的光开关阵列组成，各个所述光开关通过驱动
电压控制液晶电光波导的形成和消失，切换光束
传播路径，实现N
x
N多端口光信号的交换。本发
明在保证实现与MEMS器件相当的光学损耗、端口
扩展性和切换速度的基础上，具有更小的器件尺
寸、低驱动电压和能耗、良好的单片集成，以及更
强的鲁棒性等优势，可以实现高性能的多端口光
交换，以及良好的单片集成，适用于数据中心的
B交换应用，从而具有推广应用价值。
0
5
2
8
8
6
7
0
1
N
C
CN107688250B权利要求书1/1页
1.一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件，包括光学交叉互连器件本体，其特征
在于：所述光学交叉互连器件本体由基于液晶电光波导(103)的光开关(1)阵列组成，每个
所述光开关(1)配置连接一个输入端口(2)和一个输出端口(3)，所述光学交叉互连器件本
体的表层设为上层SiO层(4)，所述上层SiO层(4)的下方设有共地层(5)，所述共地层(5)的
22
下方设有上层取向膜层(6)，所述上层取向膜层(6)的下方设有液晶层(7)，所述液晶层(7)
的下方设有下层取向膜层(8)，所述下层取向膜层(8)的下方设有绝缘层(11)，所述绝缘层
(11)的内部设有驱动电极层(9)、金属防护层(10)和CMOS电开关阵列层(12)，所述驱动电极
层(9)与CMOS电开关阵列层(12)平行间隔设置，所述驱动电极层(9)与CMOS电开关阵列层
(12)之间设有金属防护层(10)，所述CMOS电开关阵列层(12)设置在硅基底(13)的上表面
上。
2.根据权利要求1所述的一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件，其特征在于：所
述光开关(1)阵列集成于同一具有CMOS电路的硅基底(13)。
3.根据权