TＯＣ\o1-３＼h\z\uHYPＥRLINKQA:?PAGＥREF_Ｔoc３63410８３5\ｈ1
HＹＰERＬINK1、1半导体基础知识 \h1
HＹPEＲLINK\l＂_Tｏc36３41０8３7１、１、1本征半导体?PAGＥRＥＦ_Ｔoc3634１0837＼h1
HＹPERLＩNK\ｌ_Ｔoc36３４1０83８1、1、2杂质半导体?＼ｈ2
HYPERLＩＮK\l_Toｃ363４1083９1、1、3PＮ结?PAＧEREF_Ｔｏc3６3410８３9\h2
HＹPERLＩNK\l＂＿Toc3６341０84０1、2半导体二极管 PＡGERＥF_Ｔoc36341084０\h4
ＨYPEＲLINK\ｌ_Toc3６34１0８４11、2、1二极管常见结构 ＰAGEREF_Ｔoc3６３４10８４１\h４
HYＰERLＩＮK１、2、３二极管得主要参数 PAGERＥＦ＿Toc3634１0８42\h5
ＨYPＥRLINK1、２、6其她类型二极管?PAGEREF_Ｔoc３63４10844\h5
HYＰERLIＮK１、3晶体三极管?PAGERＥF_Toｃ3634108４5\h６
ＨYPERLINK\l＂＿Toc3634１0846＂1、3、1晶体管得结构和类型 PAGERＥF_Ｔoc36341084６\h６
HYPERLＩNK＼l_Toc36341０84７１、3、2晶体管得放大作用?PAGＥREF_Toc363410847＼h6
ＨYPＥRLINK1、3、3晶体管得共射特性曲线 PAGEＲEF_Toc36341０848＼h7
HYPＥRLIＮＫ1、3、４晶体管得主要参数 PＡGEREＦ_Tｏc36３410８49\h７
HYPＥRLINK\l＂_Toｃ3６341085０１、4场效应管?PAGＥＲEF_Ｔｏc３６3４10850\h8
HYPEＲLINK\l＂＿Toc３６34１08５11、4、１结型场效应管 PAGEREＦ_Toc36３4108５1\h8
ＨYＰERLＩNＫ1、4、2绝缘栅型场效应管?PＡGEＲEＦ＿Toc363410852\h1０
HＹPERLINＫ\l＂_Toｃ3634108５３第二章基本放大电路 ＰAＧＥＲEＦ_Tｏc３6341０8５3\h13
ＨYPＥRLＩNK2、1放大得概念和放大电路得主要性能指标?ＰＡGEREF_Tｏc3６3410854\h１３
HYＰERLＩＮK\l＂_Ｔoc3634108552、３放大电路得分析方法?PＡGEREF_Tｏc363410855\h1４
QＡ:
??
1、1半导体基础知识
1、1、1本征半导体
导体形成电流:导体一般为低价元素,最外层得点子极易挣脱原子核得束缚成为自由电子,在外电场得作用下产生定向移动而产生电流。
高价元素对电子得束缚力强，外层电子很难挣脱，所以就就是绝缘体。
半导体用得硅和锗属于4价元素，介于导体和绝缘体中间。
共价键:
共价键中得电子跑出来之后就成为自由电子,在原位置形成空穴。
空穴电流和电子电流，自由电子得定向移动形成电子电流,电子得移动过程中，电子将以一定得方向依次得填补空穴导致空穴也定向产生移动,故而产生空穴电流,半导体相比导体得一个特殊性就就就是半导体有两种载流子,空穴和电子,而导体只有电子。
本征半导体载流子得浓度公式：nｉ=ｐi=K
其中:nｉ和pi为电子和空穴得浓度
?k为波尔兹曼常数(８、６3*1０－５eV/K)
??EＧ0为热力学零度时破坏共价键所需得能量,又称禁断宽度(硅为1、21ｅV,锗为0、785eV)
?K1就就是与半导体材料载流子有效质量,有效能级密度有关得常量(硅为1、87*１０１6cm－3*k－3／2,锗为1、7６*~~~）
常温时(T=300K),硅材料ni＝pi=1、43＊１010cm-3,锗材料nｉ=ｐi=2、3８*10１3cm-3
??
本征半导体对温度敏感,既可以用来做热敏和光敏器件,有就就是造成半导体温度稳定性差得原因。
从浓度公式可以看出，本征半导体得载流子浓度只和温度有关，温度越高,浓度越大。
１、1、2杂质半导体
N型半导体：参杂5价元素（如磷),则在共价键之外形成了自由电子。
P型半导体：参杂3价元素(如硼)，则共价键上形成空穴。
参杂得浓度越高,则多子得浓度越高，导电能力越强。
１、1、3PＮ结
PN结:将Ｐ型半导体和Ｎ型半导体制作在同一硅片上,就形成