ICS31.080
CCSL40/49
团体标准
T/CASAS040—202X（征求意见稿）
SiCMOSFET功率模块短路可靠性测试方法
Short-circuitreliabilitytestmethodforsiliconcarbidemetal-
oxide-semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）power
module
（征求意见稿）
在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
T/CASAS040—202X（征求意见稿）
目次
前言III
引言IV
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4测试对象2
5测试原理2
一般要求2
等效单管测试的测试原理2
桥臂直通测试的测试原理2
6测试条件3
测试环境条件3
测试安全条件3
7测试流程4
等效单管测试的测试流程4
桥臂直通测试的测试流程4
8数据记录和处理6
9测试报告7
附录A（资料性）功率模块短路可靠性测试记录表8
参考文献9
I
T/CASAS040—202X（征求意见稿）
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）制定发布，版权归CASA所有，未经CASA许可
不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASA允许；任何单位或个人引用本文件的
内容需指明本文件的标准号。
本文件主要起草单位：
本文件主要起草人：
III
T/CASAS040—202X（征求意见稿）
引言
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力
强、通态电阻低和开关损耗小等特点。与SiCMOSFET单管功率器件相比，SiCMOSFET功率模块的电流更
大，功率更高，广泛应用于高频、高压功率系统中。在SiCMOSFET功率模块的应用场景中，如电机驱动、
逆变器、变频器等，有时会出现短路