基本信息
文件名称：VLSI设计基础（数字集成电路设计基础）（东南大学）中国大学MOOC慕课 章节测验 客观题答案.pdf
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总页数：24 页
更新时间：2025-05-21
总字数：约1.23万字
文档摘要
VLSI设计基础（数字集成电路设计基础）（东南大学）
中国大学MOOC慕课章节测验客观题答案
1)
摩尔定律将遇到前所未有的挑战，挑战不包含哪个（）
A、计算密度增加、工作功耗密度和漏电功耗密度大幅度增长
B、功耗密度持续提高、散热无法解决
C、互连延时降低，互连能耗减小
D、工艺复杂，成本降低难以持续
答案：C
2)
到今年为止，工艺尺寸还在scalingdown吗？
A、是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm
B、在14nmFinFET出现后