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第三章场效应管放大器

第三章场效应管放大器

3.1场效应管

§绝缘栅场效应管

§结型场效应管

3.2场效应管放大电路

§效应管放大器的静态偏置

§效应管放大器的交流小信号模型

§效应管放大电路

4.1概述

4.2乙类互补对称功率放大电路

4.3甲乙类互补对称功率放大电路

u甲乙类双电源互补对称电路

u甲乙类单电源互补对称电路

*4.4集成功率放大器

3.1场效应管

BJT是一种电流控制元件(iB~iC)，工作时，多数载

流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。

场效应管〔FieldEffectTransistor简称FET〕是一种

电压控制器件(uGS~iD)，工作时，只有一种载流子参

与导电，因此它是单极型器件。

FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入

电阻极高等优点，得到了广泛应用。

沟道

增强型N

绝缘栅场效应管P沟道

耗尽型N沟道

FET分类：P沟道

沟道

结型场效应管N

P沟道

一.绝缘栅场效应管

绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductorFET)，

简称MOSFET。分为：

源极s栅极g-漏极d

增强型?N沟道、P沟道--

耗尽型?N沟道、P沟道

1.N沟道增强型MOS管N+N+

〔1〕结构

衬底

4个电极：漏极D，P

d

源极S，栅极G和衬底B。-

g-

衬底b

符号：--

-b

s

〔2〕工作原理

①栅源电压uGS的控制作用

当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在

d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。

V

当uGS＞0V时→纵向电场sDD

-sVDDd

--d

→将靠近栅极下方的空穴向g--

VGGg-

下排斥耗尽层。id二氧化硅

→二氧化硅

再增加uGS→纵向

N+N+

电场↑N+N+

P衬底

→将P区少子电子聚P衬底

b

集到b

P区外表→形成