我国光刻胶技术现状与问题我国光刻胶技术现状与问题PPT课件1
1、光刻胶概述光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。我国光刻胶技术现状与问题PPT课件2
2、光刻胶分类及应用光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。我国光刻胶技术现状与问题PPT课件3
3、微细加工技术微细加工技术实际上就是实现图形转移整个过程中的处理技术，也就是将掩膜母版上的几何图形先转移到基片表面的光刻胶胶膜上，然后再通过从曝光到蚀刻等一系列处理技术把光刻胶膜上的图像复制到衬底基片表面并形成永久性图形的工艺处理过程。我国光刻胶技术现状与问题PPT课件4
4、光刻工艺示意图我国光刻胶技术现状与问题PPT课件5
5、摩尔定律从集成电路制作技术的发展历史可以看出，到目前为止，国际上集成电路芯片的发展基本上还是遵循GordonE.Moore预言的摩尔定律，即每隔3年集成度增加4倍，其特征尺寸则相应缩小30%。为提高分辨率，光学曝光机波长不断缩小，从436mm、365mm的近紫外到248mm、193mm的深紫外。248nmKrF准分子激光，首先用于0.25μm曝光，后来Nikon公司推出NSR-S204B，用KrF，使用变形照明(MBI)可做到0.15μm曝光。ASML公司也推出PAS5500/750E，用KrF,使用该公司的AERILALⅡ照明，实现0.13μm曝光。我国光刻胶技术现状与问题PPT课件6
6、摩尔定律21999年ITRS建议，0.13μm曝光方案是用193nm或248nm＋分辨率提高技术(RET)；0.10μm曝光方案是用157nm、193nm＋RET、接近式X光曝光(PXL)或离子束投影曝光(IPL)。所谓RET是指采用移相掩模(PSM)、光学邻近效应修正(OPC)等措施，进一步提高分辨率。我国光刻胶技术现状与问题PPT课件7
7、国际上光刻技术与光刻胶发展技术路线图我国光刻胶技术现状与问题PPT课件8
8、国际上光刻技术与光刻胶发展技术路线图2我国光刻胶技术现状与问题PPT课件9
9、国际上光刻技术与光刻胶发展技术路线图3我国光刻胶技术现状与问题PPT课件10
10、ArF浸入式光刻我国光刻胶技术现状与问题PPT课件11
11、浸入式光刻的原理和效果我国光刻胶技术现状与问题PPT课件12
12、EUV光刻我国光刻胶技术现状与问题PPT课件13
13、EUV曝光装置实例我国光刻胶技术现状与问题PPT课件14
14、第一台EUV光刻机设备制造困难重重，直至2006年8月第一台EUV光刻Alphademotool才由ASML研制出来，交付IMEC和AlbanyNanoTech试用。这个拥有6500万部件的庞然大物的诞生标志着EUV终于迈出了量产的第一步。我国光刻胶技术现状与问题PPT课件15
15、纳米压印Imprint技术简单来说就是采用压印的方式将预先制造好的印章或掩膜版图型转移到由单体或聚合物（如甲基丙烯酸甲酯）等构成的薄膜上，随后通过化学和热处理方式对图形进行固化和保形。优势劣势是唯一能够满足16nm甚至更先进技术需求的工艺解决方案技术背离传统的主流光刻技术能够兼容使用一些EUV正在研发的工艺技术自身的价值期待得到半导体芯片制造商的肯定能够与现有半导体生产制造流程兼容技术无法避免与包括EUV在内的下一代光刻技术冲突已经被国际半导体发展路线(ITRS)收入在内有限的资金投入我国光刻胶技术现状与问题PPT课件16
16、纳米压印技术示意图我国光刻胶技术现状与问题PPT课件17
17、电子束直写技术电子束(E-Beam)具有波长短、分辨率高、焦深长、易于控制和修改灵活的特点，广泛应用于光学与非光学的掩模制造，可能在集成电路线宽降至纳米级时大显身手。我国光刻胶技术现状与问题PPT课件18
18、Ｘ-射线技术X光曝光(XRL)具有波长短、焦深长、生产率高、宽容度大、曝光视场大、无邻近效应、对环境不敏感等特点，作为下一代曝光技术具有诱人