*GSD跨导漏极输出电阻uGSiDuDS4.5.1共源放大电路二.动态分析（等效电路法）第31页，共45页，星期日，2025年，2月5日*很大，可忽略。场效应管的微变等效电路为：GSDuGSiDuDSSGDugsgmugsudsSGDrDSugsgmugsuds第32页，共45页，星期日，2025年，2月5日关于场效应管及放大电路*第1页，共45页，星期日，2025年，2月5日*一、场效应晶体管(FET)的分类N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)§4.1结型场效应管第2页，共45页，星期日，2025年，2月5日*1、结构源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号二、结型场效应管的结构和工作原理第3页，共45页，星期日，2025年，2月5日*UGS0,UDS=0VPN结反偏，|UGS|越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。2、工作原理（以N沟道为例）第4页，共45页，星期日，2025年，2月5日*ID|UGS|越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。但当|UGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。第5页，共45页，星期日，2025年，2月5日*NGSDUGSPPUGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS?0V，漏极电流ID=0A。ID第6页，共45页，星期日，2025年，2月5日*UGS=0,UDS0VID越靠近漏极，PN结反压越大,耗尽层越宽，导电沟道越窄沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。第7页，共45页，星期日，2025年，2月5日*当UDS=|Vp|,发生预夹断,ID=IDssUDS增大则被夹断区向下延伸。此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。ID第8页，共45页，星期日，2025年，2月5日*UGS0,UDS0VIDUGD=UGS-UDS=UP时发生预夹断第9页，共45页，星期日，2025年，2月5日*三、特性曲线和电流方程2.转移特性VP1.输出特性第10页，共45页，星期日，2025年，2月5日*结型场效应管的缺点：1.栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。3.栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。2.在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。第11页，共45页，星期日，2025年，2月5日*绝缘栅型场效应三极管MOSFET(MetalOxideSemiconductorFET)。分为增强型?N沟道、P沟道耗尽型?N沟道、P沟道§4.2绝缘栅场效应管（MOS)第12页，共45页，星期日，2025年，2月5日*一N沟道增强型MOSFET1结构第13页，共45页，星期日，2025年，2月5日*2工作原理(1)VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。(2)VGSVGS（th)0时，形成导电沟道反型层第14页，共45页，星期日，2025年，2月5日*(3)VGSVGS（th)0时，VDS0VDS=VDG＋VGS=－VGD＋VGSVGD=VGS－VDS＝VGS（th)时发生预夹断第15页，共45页，星期日，2025年，2月5日*3N沟道增强型MOS管的特性曲线转移特性曲线ID=f(VGS)?VDS=const第16页，共45页，星期日，2025年，2月5日*输出特性曲线ID=f(VDS)?VGS=const第17页，共45页，星期日，2025年，2月5日*二N沟道耗尽型MOSFET(a)结构示意图(b)转移特性曲线第18页，共45页，星期日，2025年，2月5日*输出特性曲线IDUDS0UGS=0UGS0UGS0第19页，共45页，星期日，2025年，2月5日*P沟道MOSFET