集成电路制造工艺原理知到智慧树期末考试答案题库2025年中山大学

高温扩散工艺经过了推进步骤后，硅片中的杂质总量（），表面杂质浓度（），结深（）。

答案:增加；减少；不变

金的功函数是5.47eV，N型硅的功函数是4.85eV，他们之间形成的金半接触是肖特基接触。（??）

答案:对

邻近效应存在于电子束光刻和X射线光刻。（）

答案:对

衡量集成电路制造工艺先进水平的最主要指标是（）

答案:线宽

电迁移现象是导致铝铜导线短路或断路的一种主要效应，会导致导线出现小丘凸起或空洞断路，出现小丘凸起的位置一般位于（）

答案:导线的末端

浸没式光刻工艺的采用液体填充透镜与硅片之间的空间，从