电子技术及实训习题及参考答案解析
一、单选题（共30题，每题1分，共30分）
1.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）。
A、输出电压约为2UD；
B、输出电压约为UD/2；
C、整流管将因电流过大而烧坏；
D、变为半波整流
正确答案：B
2.集成运算放大器的第一级通常是采用（）放大电路
A、共模；
B、差模；
C、差分；
D、射极
正确答案：C
答案解析：集成运算放大器的第一级通常采用差分放大电路。差分放大电路具有很强的抑制共模信号、放大差模信号的能力，能够有效抑制零点漂移等问题，为后续电路提供稳定且准确的信号放大基础。
3.将整流电容滤波电路的滤波电容值增大，输出电压平均值(____)。
A、无法确定
B、减小；
C、不变；
D、增大；
正确答案：D
答案解析：滤波电容值增大，滤波效果增强，输出电压平均值会增大。滤波电容的作用是平滑整流后的脉动直流电压，电容值越大，其存储和释放电荷的能力越强，能够更好地滤除电压中的交流成分，使输出电压更接近直流平均值，从而导致输出电压平均值增大。
4.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为()
A、正向电阻大，反向电阻小；
B、反向电阻比正向电阻大很多倍；
C、正、反向电阻都等于无穷大
D、正、反向电阻相等；
正确答案：B
答案解析：二极管具有单向导电性，正向电阻较小，反向电阻很大，通常反向电阻比正向电阻大很多倍。若正、反向电阻相等或都为无穷大等情况都说明二极管可能损坏。
5.集成运放在开环情况下一定工作在（）。
A、零状态；
B、闭环状态
C、线性区；
D、非线性区；
正确答案：D
答案解析：集成运放开环时，其放大倍数极高，输入信号很微弱的变化就会使输出信号进入饱和或截止状态，所以一定工作在非线性区。
6.在积分运算放大器中，采用的反馈方式是(____)负反馈。
A、串联电流；
B、并联电流
C、并联电压；
D、串联电压；
正确答案：C
7.在本征半导体中掺入适量的(____)价元素，可以形成P型半导体。
A、2；
B、3；
C、4；
D、5
正确答案：B
答案解析：P型半导体是在本征半导体中掺入适量的三价元素形成的。三价元素最外层有3个电子，在与硅或锗组成晶体时，会产生一个空穴，从而使半导体呈现出P型导电特性。而五价元素形成的是N型半导体，四价元素本身就是本征半导体，大于2价的元素包含多种情况，不符合P型半导体的形成条件。
8.PNP型三极管的三个脚分别为1、2、3。用试验法测得三极管1端对地电压12V，2端对地电压11.3V,3端对地电压为1V，则发射极(____)。
A、无法判断
B、为1端；
C、为2端；
D、为3端；
正确答案：B
9.三极管的电流放大系数β表明(____)极电流对(____)极电流的放大能力。
A、基，集电；
B、基，发射；
C、集电，基
D、发射，基；
正确答案：C
10.面接触型的二极管反向击穿电压大概是（)
A、几伏；
B、几十伏；
C、不确定
D、几百伏或者几千伏；
正确答案：D
答案解析：面接触型二极管的特点是结面积大，允许通过较大的电流，但其极间电容也较大，适用于低频整流电路。这种二极管的反向击穿电压较高，通常在几百伏甚至几千伏以上。因为其结构决定了它能够承受较高的反向电压而不被击穿。
11.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。
A、大；
B、小；
C、相等；
D、未知
正确答案：A
答案解析：硅二极管的正向导通压降一般在0.6V-0.8V左右，锗二极管的正向导通压降一般在0.2V-0.3V左右，所以硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。
12.单相桥式整流电路中，负载RL承受的是整流变压器二次绕组的(____)。
A、全部电压；
B、一半电压；
C、三分之一电压；
D、四分之一电压
正确答案：A
13.单相全波和桥式整流电路，若负载RL中的电流相等，则组成它们的逆向电压(____)。
A、相等；
B、桥式整流比单相全波整流大一倍；
C、单相全波整流比桥式整流大一倍；
D、单相全波整流比桥式整流大两倍
正确答案：C
答案解析：单相全波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为\(2\sqrt{2}U_2\)（\(U_2\)为变压器二次侧电压有效值）；桥式整流电路中，二极管承受的最大反向电压为\(\sqrt{2}U_2\)。所以当负载电流相等时，单相全波整流电路中二极管承受的反向电压比桥式整流大一倍。
14.杂质半导体的少数载流子随温度升高其数量(____)。
A、不变；
B、增大；
C、无法确定
D、减小；
正确答案：B
答案解析：对于杂质半导体，温度升高时，本征激发加剧，会产生更多的电子-空穴对。少数载流子是由本征激发产生的，所以少数载流子数量会增大。
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