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文件名称:硬脆半导体应力诱导损伤演变:原位力学实验与理论洞察.docx
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总页数:35 页
更新时间:2025-05-26
总字数:约4.53万字
文档摘要
硬脆半导体应力诱导损伤演变:原位力学实验与理论洞察
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代科技飞速发展的时代,硬脆半导体凭借其独特的物理性质,如高硬度、高熔点、高电子迁移率以及优异的光学和电学性能,成为了支撑众多前沿技术领域发展的关键材料。从日常生活中的智能手机、平板电脑,到工业生产中的自动化设备、精密仪器,再到引领未来科技发展的人工智能、量子计算、5G通信、物联网等新兴领域,硬脆半导体都扮演着不可或缺的角色。
以智能手机为例,其内部的芯片集成了数以亿计的半导体晶体管,这些晶体管的性能直接决定了手机的运行速度、图像处理能力、通信质量等关键指标。在5G通信领域,碳化硅(SiC)、氮化镓(