基本信息
文件名称:三氯氢硅合成原理.docx
文件大小:33.19 KB
总页数:21 页
更新时间:2025-05-26
总字数:约1.03万字
文档摘要
三氯氢硅合成原理
三氯氢硅合成系统包括:1,硅粉加料装置,2,三氯氢硅合成炉,3,旋风干法除尘,4,过滤装置,5,STC湿法除尘,6,合成气分别回收〔CDI〕等工序。
硅粉加料装置完成向合成炉连续定量地供给硅粉;三氯氢硅合成炉是生产三氯氢硅的关键设备;旋风干法除尘、过滤装置与STC湿法除尘是回收硅粉和除去合成气的硅尘,CDI是将合成气进展分别回收,它们都是不行或缺的设备。
合成三氯氢硅的原料是硅粉与HCL气体。
原料工业硅简介
工业硅的外观为深灰色与生铁颜色接近,也称硅铁。工业硅的块密度约2.0×103kg/m3,硬度为7,纯度一般为95%~99%,其中的主要杂质为Fe、A