三端双向可控硅进展牢靠操作的设计规章
1，正确触发
要翻开一个双向可控硅开，栅极驱动电路必需供给一个“活力”的栅极电流来保证快速有效的触发。
栅极电流的振幅：
门极电流〔IG〕要比指定的最大门触发电流高得多(IGTmax)。此参数是温度Tj=25度时给定的。
在较低的温度下，用曲线表现为门极触发电流随温度的相对变化。设计预期的最低工作温度的栅极驱动。高IG值供给了一个高效触发〔看§2〕。
作为一个实际的原则，我们建议：
门电路的设计：
这里：
VDD(min)=minimumvalueofthepowersupplyVDD(最小)=电源电压的最小值
VOL=outputvoltageofthemicrocontroller(at0logiclevel) VOL=微处理器的输出电压
VG=voltageacrossthegateofthetriac.TakethespecifiedVGT. 在双向晶闸管的栅极电压。实行指定的
VGT
IG=requiredgatecurrent(IG2.IGTmax) 所需的栅极电流
栅极电流持续时间：
〔对于ON-OFF开关〕
脉宽的操作可以明显的降低栅极驱动功耗。
承受栅电流Ig直到负载电流到达闭锁电流〔IL〕
建议使用连续的栅极直流电流，避开流过的负载电流(IT50or100mA)低于维持电流和擎住电流而引起电流的不连续性。
象限：
在的工程中，为了是双向可控硅高性能运行，应避开在第4象限工作，仅在指定的1、2、3象限。
2，平滑导通
当可控硅导通，确保了通态电流上升率不超过规定的最高值。例如在有缓冲网络跨接在双向可控硅时，在电容放电的状况下，检查这一点是格外重要的。
假设di/dt的超过规定值，然后栅区四周的电流密度过高时，产生过热。高重复性的di/dt可能引起硅晶片的逐步退化，引起栅极电流的增加和阻断力量的丧失。
在大多数状况下开关零电压大大降低了通态di/dt和浪涌电流。提示：
一个强大的栅极电流提高了可控硅的di/dt的力量，并提高通态的换向的牢靠性：IGIGT(atleast2or3timesIGTmax，至少2或3倍IGTmax)。
在三端双向可控硅跨接有RC网络的状况下，串联电阻的值必需足以限制通过双向可控硅的峰值电流和di/dt。
我们推举：
*在门极两端不要使用电容。
该电容显著降低di/dt的力量，此外，这种电容并不能改善静态dv/dt特性。图2 为了尽量削减在翻开时的di/dt的应力：
R必需是大于47Ω更高；不能并接栅极电容〔CGK〕
3，导通状态牢靠工作掌握持续结温
TjTjmaxspecified〔指定最大结温〕
在任何时刻，关键是要知道流过器件的电流，和因此而产生的功耗。功耗评估〔P〕：
通过数据手册给定的P=f(ITRMS)曲线。由下面的公式计算最大耗散功率：
这里：Vto=thresholdvoltageofon-stateV(refertothedatasheet)characteristicVto是导通状态的电压阀值特性〔参考数据手册〕
Rd=dynamicon-stateresistance(refertothedatasheet)Rd是通态动态电阻〔参考数据手册〕
ITRMS=currentthroughthetriacITRMS=通过可控硅的电流
无散热器的操作：
三端双向可控硅是在印刷电路板上直接安装没有任何冷却装置。
这里：
Tamb是最大环境温度；
Rth(j-a)是规定的结到环境的热阻〔参考数据手册〕
P是双向可控硅导通时的耗散功率
在这些条件下，可掌握负载电流低于2安培。
有散热器时的操作：
在这里：Tamb是最大环境温度；
Rth(j-c)是结到壳的热阻(参考数据手册)；Rth(c-hs)是外壳到散热器的热阻；
例如：对于TO-220封装的Rth〔C-HS〕≤0.5℃/W(〔导热硅脂)Rth(hs)是散热器的热阻；
P是可控硅导通时的耗散功率；
4，安全关闭
为了保证安全关闭操作〔无重复触发的风险〕，首先以通过应用电路的最大(dI/dt)c来选择元件。
1——标准可控硅与灵敏可控硅的状况：
监测(di/dt)c是不够的。在电感负载状况下，必需用RC缓冲网络把重复(dV/dt)c的值限制在规定的值〔看图3〕。
图3(dV/dt)c限制于缓冲
最大允许值的范围一般是1to20V/μs〔参考数据手册〕
RC