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文档摘要

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应变调控下过渡族金属掺杂GaSb的电子与磁学特性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的庞大体系中，GaSb作为一种III-V族化合物半导体，凭借其独特的性质在现代电子器件领域占据着举足轻重的地位。从晶体结构来看，GaSb属于闪锌矿结构，这种结构赋予了它许多优异的物理性质。其禁带宽度为0.725eV（300K），这一数值使得GaSb在红外光电子器件方面展现出巨大的应用潜力，因为该禁带宽度与近红外波段的光谱匹配度较高，能够较好地实现对近红外光的响应和处理。与此同时，GaSb的晶格常数为0.60959nm，这一参数使得它能够与各种三元、四元的Ⅲ-V族化合物半导