3月1+X集成电路理论试题库与答案（附解析）
一、单选题（共20题，每题1分，共20分）
1.下列说法错误的是（）。
A、在cadence软件界面上，单击Tools菜单，选择LibraryManager命令，出现“库文件管理器”
B、用户可以在库文件里新建单元，但不能在新建的单元下新建视图
C、选择Tool选项中的Composer-Schematic选项，表示在单元下建立电路图视图
D、在电路编辑窗口中，利用图标栏可以快速建立、编辑电路图
正确答案：B
答案解析：用户不仅可以在库文件里新建单元，也能在新建的单元下新建视图。选项A，在cadence软件界面上，单击Tools菜单，选择LibraryManager命令，确实会出现“库文件管理器”；选项C，选择Tool选项中的Composer-Schematic选项，就是在单元下建立电路图视图；选项D，在电路编辑窗口中，利用图标栏可以快速建立、编辑电路图。
2.切筋成型工序中，设备在完成模具内的切筋与成型步骤后，下一步是（）。
A、下料
B、核对数量
C、人工目检
D、装料
正确答案：A
答案解析：切筋成型工序中，设备完成模具内的切筋与成型步骤后，下一步就是将成型后的产品从模具中取出，即下料。人工目检一般在下料之后进行质量检查；核对数量通常不是紧接着切筋成型之后的直接步骤；装料是在切筋成型之前的准备工作。
3.晶向为111、8英寸P型半导体材料的定位方式是沿着硅锭长度方向研磨出()。
A、一个基准面
B、两个基准面且呈45度角
C、两个基准面且呈90度角
D、定位槽
正确答案：D
答案解析：8英寸的晶圆直径为200mm，当硅片直径等于或大于200mm时，往往不再研磨基准面，而是沿着晶锭长度方向磨出一小沟作为定位槽。
4.在进行料盘真空包装时，需要在()上进行。
A、平移式分选机
B、测试机
C、高温烘箱
D、真空包装机
正确答案：D
答案解析：在进行料盘真空包装时，需要在真空包装机上进行。
5.()是使硅片上的局部区域达到平坦化。
A、平滑处理
B、局部平坦化
C、全局平坦化
D、部分平坦化
正确答案：B
答案解析：局部平坦化是将硅片表面局部进行平坦化处理，使其达到较高的平整度。
6.平移式分选机设备分选环节的流程是：()。
A、吸嘴吸取芯片→收料→分选
B、吸嘴吸取芯片→分选→收料
C、分选→收料→吸嘴吸取芯片
D、分选→吸嘴吸取芯片→收料
正确答案：B
答案解析：平移式分选机设备测试环节的流程是：吸嘴吸取芯片→分选→收料。
7.{在扎针测试时，需要记录测试结果，根据以下入库晶圆测试随件单的信息，如果刚测完片号为5的晶圆，那么下列说法正确的是：()。}
A、TOTAL=5968，PASS=5788
B、TOTAL=6000，PASS=5820
C、T0TAL=5820，FAIL=180
D、TOTAL=5788，FAIL=212
正确答案：B
答案解析：入库晶圆测试随件单中的合格数指的是除去测试不合格及外观不合格的合格数量，因此，总数TOTAL=“合格数”+“测试不良数”+“外观剔除数”，测试合格数PASS=“合格数”+“外观剔除数”，测试不合格数FAIL=“测试不良数”。所以对于片号为5的晶圆，TOTAL=6000，PASS=5820，FAIL=180。
8.避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后，用()遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。
A、不透明袋
B、气泡膜
C、白布
D、黑布
正确答案：D
答案解析：避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后，用一块黑布遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。
9.平移式设备芯片检测工艺流程中，上料之后的环节是()。
A、外观检查
B、测试
C、分选
D、真空包装
正确答案：B
答案解析：平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→外观检查→真空包装。
10.平移式分选机设备的上料步骤正确的是：()。
A、吸嘴转移芯片→空料盘替换→待测芯片上料
B、待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换
C、空料盘替换→待测芯片上料→吸嘴转移芯片
D、吸嘴转移芯片→待测芯片上料→空料盘替换
正确答案：B
答案解析：平移式分选机设备的上料步骤为：待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换。
11.晶圆检测工艺对环境的其中一项——温度的要求范围是()℃。
A、22±3
B、20±3
C、20±5
D、25±3
正确答案：A
答案解析：晶圆检测工艺对环境的要求：测试车间符合10万级洁净区标准，温度常年保持在22±3℃，湿度保持在45±15%。
12.下列关于重力式分选设备描述错误的是（）。
A、重力式分选机手动上料的步骤分为两步，装料和上料夹具夹持
B、手动装料需要操作人员取下