2-6英寸立式氢化物气相外延设备控制系统：设计、优化与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料制备领域，2-6英寸立式氢化物气相外延（HVPE）设备占据着举足轻重的地位。随着半导体技术的迅猛发展，对高质量、高性能半导体材料的需求日益增长，HVPE设备作为关键的材料制备工具，其性能直接影响着半导体材料的质量和生产效率。

HVPE技术是一种在常压高温的石英反应器内进行反应的化学气相沉积技术，具有生长速率快、制备成本低等显著优点，是目前制备氮化镓（GaN）等氮化物半导体材料的常用工艺。在该技术中，氢气（H?）在高温下作为载体气体，将氨气（NH?）和三甲基铝（TMA）等反应气体