Ge基InAsGaAs量子点激光器的MBE制备技术与性能表征研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对信息传输速率和容量的需求呈指数级增长，硅基光电子集成技术应运而生。该技术旨在将成熟的微电子工艺与性能优异的光电子器件，如激光器、调制器、波导、探测器等集成在一起，形成高度集成的光电子芯片，从而满足数据中心、高速通信等领域对低功耗、低成本及高传输速度通信的迫切需求。在现代信息社会中，数据的快速传输和处理至关重要，硅基光电子集成技术有望成为解决当前通信瓶颈的关键技术，推动信息技术向更高水平发展。

然而，硅基光电子集成技术的发展面临着一个重大障碍：Si、Ge等IV族材料