(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101734630A
(43)申请公布日2010.06.16
(21)申请号CN200910312590.0
(22)申请日2009.12.30
(71)申请人峨嵋半导体材料研究所
地址614200四川省峨眉山市符北路88号
(72)发明人熊先林刘益军管迎博
(74)专利代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人刘明芳
(51)Int.CI
C01B19/04
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种高纯碲化镉的制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种高纯碲化镉的制
备方法，反应过程发生在镉和碲的熔点以
上的涂碳处理后的密闭石英管内，其中5N
镉料和5N碲料的质量比为1∶1.1～1.15，
将称量好的碲料按照加料次数N分成N
份，将称量好的镉料分成N-1份，将每份
碲料和每份镉料交替加入石英管且最先最
后加入碲料，装料后脱氧并用封泡进行烧
结封管，缓慢进行高温高压的合成反应；
本发明的有益效果在于：熔融态下的原料
接触面积更大，较固态下的原料反应速度
更充分，避开了对原料的微米级粉碎处
理，对原料的形态要求放宽，大大降低了
制备成本，且保证了原料纯度，能够适应
较大规模的生产，碲化镉合成转化率可达
98～99.5％，在安全的前提下使用内径
32mm石英管可以保证单管产量800-
1000g。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
专利权的转移IPC(主分
类):C01B19/04专利
号:ZL2009103125900登记生效
日更事项:专利权人
变更前权利人:峨嵋半导体材料研
专利申请权、专利权
2023-04-14究所变更后权利人:中国东方电气
的转移
集团有限公司变更事项:地址变更
前权利人:614200四川省峨眉山
市符北路88号变更后权利
人:610036四川省成都市金牛区
蜀汉路333号
权利要求说明书
1.一种高纯碲化镉的制备方法，其特征在于该方法主要包括以下步骤：
(1)石英管涂碳处理
在清洁的石英管内采用热解反应沉积碳膜；
(2)原料处理
选取粒径小于石英管内壁的纯度5N的镉锭，然后清洗掉表面的氧化层，使其表面
呈现白色金属光泽后待用；
将纯度5N的碲料破碎，使粒径在0.35-20mm内待用；
(3)配料
称量质量配比为1∶1.1～1.15的5N镉料与5N碲料；
(4)投料
将称量好的碲料按照加料的次数N分成N份，将称量好的镉料分成N-1份，将每
份碲料和每份镉料交替加入经过涂碳处理的石英管且最先加入碲料、最后加入碲料，
其中N≥2；
(5)脱氧、封管
加热脱氧炉到200℃～280℃后，将石英管放入真空系统脱氧，当真空系统的真空
度达到5×10-4pa～10×10-4pa后将石英管封管，封管后停止脱氧；
(6)合成反应
将从真空系统中卸下的石英管放入合成炉中，以1