HJT技术发展、工艺制程、PECVD相关技术随堂考试题及答案

工号:

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1.以下哪个选项是硅异质结太阳能电池的正确缩写（）

A.YZJ

B.HBC

C.HJT(正确答案)

D.HPT

2.硅异质结太阳能电池最早由哪个国家的研究者发明（）

A.日本(正确答案)

B.德国

C.中国

D.美国

3.迈为高效硅异质结太阳能电池起到钝化作用的是哪种材料（）

A.多晶硅

B.本征非晶硅(正确答案)

C.类单晶硅

D.颗粒硅

4.迈为硅异质结太阳能电池镀膜阶段的工艺温度区间是（）

A.100~250℃(正确答案)

B.室温即可

C