MEMS技术驱动下的ZnO忆阻器集成化：工艺创新与特性洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对电子器件的性能和集成度提出了越来越高的要求。忆阻器作为一种新型的电子元件，自1971年被蔡少棠教授从理论上提出后，在2008年惠普公司成功研制出首个真实可用的忆阻器，此后便成为了研究的热点。忆阻器全称为记忆电阻器，是一种有记忆功能的非线性电阻，被认为是电阻、电容、电感之外的第四种电路基本元件。它具有高速、低功耗、高集成度以及兼具信息存储与计算功能等特点，在非易失性存储、神经形态计算、模拟电路等领域展现出巨大的应用潜力，被视为最具潜力的未来逻辑运算器件。

在众多忆阻