国家标准《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》
编制说明(送审稿)
一、工作简况
1、立项目的和意义
单晶硅是目前国内外大规模集成电路的主要材料，提高单晶硅质量主要是降低材料中
的各种有害杂质含量。碳杂质的存在对于单晶硅直接影响后续器件的软特性和击穿电压。
生产硅单晶的原材料和生长环境极易使碳杂质被引入到硅晶体中去，如果要提高单晶硅
质量和器件成品率，就必须严格控制硅材料中的碳含量。一般硅单晶中碳含量比氧含量
低一个数量级，同时在碳吸收峰附近有一个非常强的硅晶格吸收峰干扰测定，增加了碳
含量准确测试的难度。影响碳含量准确测试的因素很多，GB/T1558-2009中很多内容的
表述和规定不够明确。本次修订通过调研查阅国外相关标准，完善和补充了GB/T1558
方法原理、测试环境条件、碳吸收谱基线选取方法，更改干扰因素、试样制备等。
红外吸收法测试硅中代位碳原子含量在国际半导体产业领域得到广泛应用，在国内
硅材料有关生产厂家和专业检测机构均采用该方法。通过修订该标准，旨在规范测试方
法的适用范围、干扰因素、试样制备、测试谱图基线的选取、测试环境条件等，减少对
碳含量测试的影响因素，提高硅单晶中碳含量测试的准确性。同时，该标准可用于硅材
料工艺控制、研发和验收，对促进我国半导体工艺控制技术水平和提高半导体硅材料的
国际竞争力均具有十分重要的意义。
2、任务来源
根据《国家标准化管理委员会关于下达2021年推荐性国家标准修订计划及相关标准
外文版计划的通知》（国标委发[2021]19号）的要求，由中国电子科技集团公司第四十
六研究所牵头修订《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》，计划编号为T-469,下达日期2022-01-04，要求完成时间2023-07-04。
国家标准计划《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》由TC203（全国半导体设
备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术
委员会材料分会）执行，主管部门国家标准化管理委员会。全部代替GB/T1558-2009，
国际标准分类号77.040。
3主要工作过程
3.1、起草阶段
项目立项之后，成立了标准修订小组，落实了标准主要内容、涉及范围、检测和参
与单位、时间节点等工作，标准编制组于2022年8月初完成了标准草稿；2023年1月完
成了讨论稿。2023年2月，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员
会组织，以线上的方式对《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》标准进行了第一次
工作会议（讨论会），有研半导体材料有限公司、中国计量科学研究院等13个单位41位
专家参加了本次会议。与会专家对标准的讨论稿认真地进行了逐字逐句的讨论，对本标
准的技术要点内容和文本质量进行了充分的讨论，会议中专家对适用范围、方法原理、
干扰因素等方面提出了修改意见。根据该次会议的要求，编制组对讨论稿进行了修改和
补充，于2023年2月完成了征求意见稿及编制说明。
3.2、征求意见阶段
2023年2月编制组将征求意见稿及编制说明，发函半导体材料的生产、使用、检测
等相关单位广泛征求意见。结合征求的意见，编制组对标准整体进行梳理和修改。
征求意见期间，共发函20家单位，收到回复的单位为20家，其中有建议或意见的
单位为5家，未回复的有0家。根据征求意见稿的回函情况，经过编制组讨论研究，提
出具体修改意见及采纳情况，填写了标准征求意见稿意见汇总处理表，并对标准文本进
行修改，2023年3月形成了《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》标准预审稿。
2023年3月28日在广东省东莞市召开了《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》
的预审会，青海芯测科技有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司等个单位
位专家参加了本次会议。会议中专家对测试范围、方法原理、术语和定义、干扰因素、
仪器设备、样品、仪器检查等方面提出了修改意见。根据该次会议的要求，编制组对预
审稿进行了修改和补充，于2023年4月初完成了送审稿及编制说明。
4、标准主要起草单位及人员所做的工作
牵头单位中国电子科技集团公司第四十六研究所，具备拉制单