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2025年通信电子计算机技能考试-平板显示技术考试近5年真题荟萃附答案
第I卷
一.参考题库(共80题)
1.简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
2.简述FED与CRT显示原理的异、同点。
3.分析COF工艺和COG工艺哪种更适合高分辨率显示？为什么？
4.简述VFD的局限性及发展。
5.简述AMOLED驱动的最关键的TFT性能要求。
6.描述MVA技术如何实现的广视角？
7.什么是多点触控技术？简述多点触控技术的特点。
8.简述单像素双畴FFS模式的实现的原理。
9.何为LED器件的变频特性？由于LED变频特性存在如何实现高分辨率LED图像显示？
10.简述真空掩膜蒸镀技术实现红绿蓝像素并置全彩色方案的工艺流程。
11.增强场致电子发射的几个方法是什么？
12.OLED如何实现彩色显示？
13.二极型和三极型结构有哪些优缺点？
14.简述有机材料和无机半导体材料的相同点和不同点。
15.简述偏振片的作用。
16.简述LCD视角窄的原因。
17.简述pn结的电致发光的过程。
18.如何提高开口率？并举例说明。
19.LCD显示产生交叉效应的原因是什么？用什么方法克服交叉效应？
20.明视觉、暗视觉光谱光效率函数的含义是什么？
21.简述OLED产业化的面临的问题？你认为有什么解决办法？
22.简述2T1C驱动原理及面临的问题。
23.简述偏移结构的制作过程。
24.举例说明各向同性和各向异性刻蚀的特点。
25.简述灰度级和颜色数的关系？并举例说明。
26.LED背光源采用的是白光LED，还是RGB三基色LED，哪种更有优势？
27.简述ELA技术制备LTPSTFT的缺点，针对ELA技术的问题有哪些解决方案？
28.举例说明PECVD成膜的使用的气体及反应方程。
29.简述TFT-LCD的工作原理。
30.简述SLS技术、SGS技术、SPC技术的优缺点。
31.简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。
32.简述PE和RIE设备的不同点。
33.试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
34.简述AMOLED和PMOLED的区别。
35.简述液晶显示器亮度决定因素有哪些？并计算分析实际亮度能达到多少？
36.简述MVA技术的显示原理。
37.请画出常白型TN液晶显示器的显示原理图，并简述显示原理。
38.简述TFT在液晶显示器中的作用。
39.为什么ODF工艺更适合5代线以上的生产线？
40.简述偏光式3D技术的原理。
41.简述场致发射的结构及原理。
42.传统的液晶注入方式的工艺流程。
43.简述OLED电致发光概述。
44.简述电子纸的显示原理。
45.简述影响OLED发光效率的主要因素和提高发光效率的措施。
46.IPS技术为什么有硬屏之称？通过与其他广视角技术对比举例说明。
47.试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
48.简述扭曲效应显示器件和超扭曲向列液晶显示器工作原理的差异。为什么采用超扭曲向列效应的液晶显示板能增大液晶显示屏的行数？
49.简述PI膜的形成过程。
50.简述液晶显示器的分类及英文缩写。
51.简述MIS结构表面电荷的变化？
52.简述PDP显示面临的问题？适合应用在哪些领域？
53.描述彩色光的3个基本参量是什么？各是什么含义？
54.分析要用七段式显示一个数字“2”，需要加的波形信号，并说明段码式驱动的缺点？
55.简述MOSFET的两个电场。
56.简述COF的结构。
57.简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。
58.简述顶发射型OLED的工艺难度。
59.为什么说AC-PDP具有存储特性？存储特性对图象显示有什么好处？
60.简述液晶显示器残像产生的原因。
61.主导TFT器件工作的半导体现象是什么？它的物理意义和主要影响参数？为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用，从半导体的角度应该提高什么，降低什么？
62.触摸屏为什么是一种绝对定位系统？
63.简述沟道切断的作用。
64.FED显示屏中残留物质对发射的几个主要影响是什么？
65.简述聚焦型FED的结构特点和性能优点。
66.简述薄膜晶体管沟道上面的金属层M3有两种作用。
67.简述FFS技术与IPS技术的差别。
68.简述激光光阀显示的结构及显示原理。
69.简述电容式触摸屏的优点。
70.彩色电视传送色差信号比直接传送基色信号有什么优越性？
71.简述层间清洗的作用。
72.分析交叉串扰产生的原因。
73.简述有源矩阵液晶显示器的主要组成部件。
74.简述漏光产生的原因。
75.简述三种彩色电视制式的特点和差异。
76.简述3D技术的特点。
77.简述银点胶和边框胶的作用。
78.举例说明多畴模式的作用？
79.简述铁电液晶的工作原理。
80.简述FED和CRT的区别。