拓扑绝缘体-反铁磁绝缘体异质结：制备工艺与输运特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景

随着信息技术的飞速发展，电子器件不断向小型化、高速化和低功耗方向迈进。传统的基于电荷输运的电子学器件，如硅基半导体器件，在尺寸不断缩小的过程中，逐渐逼近其物理极限，面临着功耗高、发热严重、信息处理速度受限以及存储密度难以进一步提升等诸多瓶颈问题。这些问题不仅限制了现有电子设备性能的进一步提升，也阻碍了信息技术向更高水平的迈进。

自旋电子学应运而生，作为一门新兴的交叉学科，它致力于利用电子的自旋属性而非仅仅是电荷来实现信息的存储、处理和传输。与传统电子学相比，自旋电子学具有诸多潜在优势。例如，电子自旋的