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文档摘要

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单分子树脂光刻胶光刻性能与硫元素高压光化学特性研究

一、引言

1.1研究背景

光刻技术作为超大规模集成电路制备过程中最重要的工艺过程之一，占据整个制造成本的40%，其发展是实现集成电路更高集成度和器件更小特征尺寸的基础。光刻胶，作为光刻工艺中最重要的耗材，是一类通过光束、电子束、离子束或X射线等能量辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，在微电子工业中制作大规模和超大规模集成电路时不可或缺。其质量对光刻精度至关重要，直接影响着半导体芯片的制程精度、稳定性和可靠性，进而关系到芯片的性能、良率和成本，因此被称为半导体材料皇冠上的明珠，是半导体产业最关键的材料。

随着半导体工业的迅速发展，半