Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米棒的远程外延生长与光电性能：机理、调控及应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与光电子技术迅猛发展的时代，Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，成为了研究的焦点。Ⅱ-Ⅵ族半导体主要由元素周期表中第Ⅱ族（如锌Zn、镉Cd、汞Hg等）和第Ⅵ族（如硫S、硒Se、碲Te等）元素组成，其原子间通过较强的离子键或共价键结合，形成了稳定的晶体结构。

从物理性质来看，Ⅱ-Ⅵ族半导体具有直接带隙特性，这使得它们在光吸收和发射过程中具有较高的效率。以常见的氧化锌（ZnO）为例，它的室温带隙约为3.37eV，在紫外光激发下能够