1060nm隧道级联多有源区半导体激光器外延结构的优化策略与性能提升研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子技术领域，1060nm隧道级联多有源区半导体激光器凭借其独特优势，在民用和军用领域均扮演着关键角色，发挥着不可替代的作用。

在民用领域，1060nm隧道级联多有源区半导体激光器在激光加工方面表现卓越。例如在激光焊接工艺中，相较于传统焊接方法，它能提供高能量密度的激光束，实现高精度、高质量的焊接，广泛应用于汽车制造、航空航天等对焊接质量要求极高的行业，大幅提升了生产效率和产品质量。在激光切割领域，其能够快速、精准地切割各种金属和非金属材料，切口光滑，热影响区小，有效降低了