氮化硼纳米片增强二氧化硅复合材料：制备工艺与介电性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，电子设备正朝着小型化、集成化和高性能化的方向迈进。在这一进程中，材料的介电性能成为了制约电子设备进一步发展的关键因素之一。介电材料作为电子领域的重要基础材料，广泛应用于电容器、绝缘材料、微波器件等众多关键部件中，其性能的优劣直接影响着电子设备的性能、可靠性以及使用寿命。例如，在高速通信领域，信号的快速传输要求介电材料具有低介电常数和低介电损耗，以减少信号的延迟和衰减；在电力电子器件中，高功率密度的需求则对介电材料的击穿强度和耐热性能提出了更高的挑战。

氮化硼纳米片（BN