1、在本征半导体中掺入微量得D价元素,形成N型半导体。
A、二B、三C、四D、五
2、在N型半导体中掺入浓度更大得C价元素,变成为P型半导体。
A、二B、三C、四D、五
3、在本征半导体中,自由电子浓度B空穴浓度。
A、大于B、等于C、小于
4、在P型半导体中,自由电子浓度C空穴浓度。
A、大于B、等于C、小于
5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多,且数目相同
6、空间电荷区就就是由C构成得。
A、电子B、空穴C、离子D、分子
7、PN结加正向电压时,空间电荷区将A。
A、变窄B、基本不变C、变宽D、无法确定
9、稳压管得稳压区就就是其工作在C。
A、正向导通B、反向截止C、反向击穿
10、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B。
B、前者正偏、后者反偏
11、当温度升高时,二极管得反向饱和电流将A。
A、增大B、不变C、减小D、都有可能
12、工作在放大区得某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么她得β约为C。
A、83B、91C、100D、10
13、当场效应管得漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,她得低频跨导gm将A。
A、增大B、不变C、减小D、都有可能
14、晶体管就就是A器件。
A、电流控制电流
15、实践中,判别晶体管就就是否饱和,最简单得方法就就是测量UCE。
16、在正常放大得电路中,测得晶体管三个电极得对地电位如图所示,试判断管子得类型和材料。图1为D;图2为A。[基极电位总就就是处于中间]
①3V
①3V
②9V
③2、3V
图2
①6V
②0V
③5、7V
图1
A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管
17、增强型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压B,耗尽型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压D。
A、只能为正B、只能为负C、可正可负D、可正可负,也可为零
18、在放大电路中,场效应管工作在漏极特性得C。
A、可变电阻(欧姆)区B、截止区C、饱和区D、击穿区
20、场效应管就就是D器件。D、电压控制电流
21、基本共射放大电路中,基极电阻Rb得作用就就是A。
A、限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路
22、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc得作用就就是B。
B、将输出电流得变化量转化为输出电压得变化量
23、基本共射放大电路中,如果使用直流电压表测出UCE≈0,可能就就是因为A。A、Rb短路
24、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc得波形,二者相位A相同。
25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小Rb失真消除,这种失真一定就就是、截止B失真。
26、分压式偏置工作点稳定电路,当β=50时,IB=20μA,IC=1mA。若只更换β=100得晶体管,而其她参数不变,则IB和IC分别10μA,1mA
27、有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同得放大器甲和乙,对同一信号源进行放大,在负载开路得情况下,测得甲得输出电压小,这说明甲得B输入电阻小。
28、放大电路产生零点漂移得主要原因就就是环境温度变化引起参数变化
29、要求组成得多级放大电路体积最小,应选直接B耦合方式。
30、放大电路得三种组态(都有功率放大作用C)。
一个放大器由两级相同得放大器组成,已知她们得增益分别为30dB和40dB,则放大器得总增益为(C70dB)。
31、多级放大器与单级放大器相比,电压增益将(提高A)。
填空
1、PN结中扩散电流得方向就就是:从P区到N区,漂移电流得方向就就是从N区到P区。
2、PN结得最大特点就就是单向导电性。
3、使PN结正偏得方法就就是:将P区接高电位,N区接低电位。
4、PN结正偏时,有利于多数载流子得运动,阻碍少数载流子得运