ICS77.150.99
H68YS
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T××××—200×
再生硅料
RecyclingSiliconMaterial
202--202--
×××××发布×××××实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
YS/T××××—200×
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替YS/T840-2012《再生硅料分类和技术条件》，与YS/T840-2012《再生硅料分类和技
术条件》相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a)更改了标准名称，将“再生硅料分类和技术条件”更改为“再生硅料”；将英文标准名
“Classificationandtechnicalspecificationforrenewablecrystalsilicon”更改为
“RecyclingSiliconMaterial”；
b)更改了再生硅料类别，增加边皮料、切片废料、墩埚料、沫子料、回收单晶料，修改埚底料、
晶体硅样块、原生型废硅片描述（见第1章）；
c)更改了规范性引用文件，将《GB/T1551硅单晶电阻率测定方法》更改为《GB/T1551硅单
晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法》（见第2章）；
d)增加了规范性引用文件《GB/T37049电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等
离子体质谱法》（见第2章）；
e)更改了再生硅料的线性尺寸，由不小于3mm更改为不小于1mm（见第3章）；
f)更改了再生硅料中N型再生硅料的电阻率等级指标，一档至三档的电阻率范围由＞40、20～40、
1～2更改为＞2、0.3～2、0.01～0.3Ω·cm（见第4章）；
g)更改了再生硅料中P型再生硅料的电阻率等级指标，一档至三档的电阻率范围由＞10、1～10、
0.35～1更改为＞2、0.4～1.2、0.001～0.4Ω·cm（见第4章）；
h)增加了按导电型号分类再生硅料的分类方法；
i)更改了再生硅料受主杂质浓度等级，由≤20、≤300、≤1000改为[≤2（N型），≤250（P型）]、
[≤50（N型），≤850（P型）]、[≤10（N型），≤2.5E+5（P型）]，单位为ppba（见第4
章）；
j)更改了再生硅料施主杂质浓度等级，由≤2、≤50、≤100改为[≤50（N型），≤2（P型）]、
[≤350（N型），≤5（P型）]、[≤9E+4（N型），≤10（P型）]，单位为ppba（见第4章）；
k)更改了再生硅料碳杂质浓度等级，由≤0.5、≤2、≤4改为≤0.5、≤1、≤2，单位为ppma（见
第4章）。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化
技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。
本文件主要起草单位：隆基绿能科技股份有限公司、天津中环半导体股份有限公司、弘元新材料有
限公司。
本文件主要起草人：邓浩，韩伟，付楠楠。
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