探索GaN基MIS-HEMT器件：介质生长与界面态表征的关键技术

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的背景下，对高频、高功率器件的需求日益增长。GaN基MIS-HEMT器件凭借其卓越的特性，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为研究的热点。

GaN材料具有宽禁带、高电子迁移率、高饱和电子速度和高热导率等优异性能。与传统的Si基器件相比，基于GaN材料的MIS-HEMT（金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管）器件能够在更高的电压、频率和温度下工作，这使其在5G通信、卫星通信、雷达系统、电动汽车充电桩以及航空航天等高频、高功率应用场景中具有显著