碳化硅MOSFET温敏电参数特性及结温在线监测技术研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今电力电子技术飞速发展的时代，碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）凭借其卓越的性能，成为了该领域的研究热点与关键发展方向。与传统的硅基器件相比，SiCMOSFET拥有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速率以及高热导率等显著优势。这些优势使得SiCMOSFET在高压、高频、高温以及高功率密度的应用场景中展现出无与伦比的潜力，被广泛应用于新能源汽车、智能电网、轨道交通、航空航天等众多重要领域。

在新能源汽车的充电桩电源模块中，随着新能源汽车800V平台的出现，主流