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文件名称：中职电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案.docx
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总页数：32 页
更新时间：2025-05-31
总字数：约1.42万字
文档摘要
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中职电工类第五版《电子技术根底》全章节习题与及答案
一．填空题：(共59题)
PN结正向偏置时，应当是P区的电位比N区的电位高。
硅二极管导通时的正向管压降约为 0.7V 。
锗二极管导通时的正向管压降约为 0.2V 。
半导体三极管放大的实质是小电流掌握大电流。
工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。
三极管的极限参数分别是ICM、PCM和UCEO 。
在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。
小功率三极管的输入电阻阅历公式=300+
放大电路产生非线性失真的根本缘由静态工作点不适宜。
在放大电路中负载电阻值越大其