基于领域驱动的GaN功率器件芯片关键电路设计与抗辐照加固研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，对高性能功率器件的需求日益增长，氮化镓（GaN）功率器件应运而生，成为了功率电子领域的研究热点。GaN作为第三代宽禁带半导体材料的核心代表之一，与传统的硅（Si）和砷化镓（GaAs）材料相比，具有诸多优异的特性。其宽带隙特性使得GaN功率器件在高温下仍能保持良好的电气性能，高饱和漂移速度和高临界击穿电场则赋予了器件高效的功率转换能力和高耐压性能。基于异质结形成的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），凭借着尺寸小、开关速度快、电流密度大以及散热性好等卓越性能，在众多