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文件名称:跨尺度无掩模光刻技术赋能纳米线晶体管制备:原理、应用与展望.docx
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总页数:31 页
更新时间:2025-05-31
总字数:约2.7万字
文档摘要
跨尺度无掩模光刻技术赋能纳米线晶体管制备:原理、应用与展望
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今科技飞速发展的时代,微电子技术作为现代信息技术的基石,正以前所未有的速度推动着各类电子设备的革新与进步。从我们日常使用的智能手机、平板电脑,到高性能的计算机、云计算服务器,再到先进的人工智能硬件,微电子技术的身影无处不在,它已然成为支撑现代社会运转和发展的关键力量。在微电子技术的众多关键技术中,光刻技术和晶体管技术占据着举足轻重的地位,它们的每一次突破都为整个微电子领域带来了深远的影响,推动着电子设备不断向更小尺寸、更高性能、更低功耗的方向发展。
光刻技术,作为集成电路制造过程中的核心工艺,其作