基于芯片参数对瞬态均流影响的IGBT芯片精准筛选策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）凭借其卓越的性能，成为了核心功率半导体器件，被誉为电力电子行业的“CPU”。IGBT作为一种由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了BJT器件通态压降小、电流密度大、耐压高和功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点，在中低电压范围内，广泛应用于新能源汽车与白色家电领域；在1700V及以上的高电压领域，更是在轨道交通、智能电网等重要行业中发挥着关键作用。随着新能源汽车、通信、汽车