基本信息
文件名称:CoFeB_MgO_CoFeB磁性隧道结:制备工艺、特性及应用的深度剖析.docx
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总页数:31 页
更新时间:2025-05-31
总字数:约4.28万字
文档摘要

CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结:制备工艺、特性及应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展,对数据存储和处理能力的要求日益提高,自旋电子学应运而生并成为研究热点。自旋电子学,也称磁电子学,是一门新兴的交叉学科,它利用电子的自旋和磁矩,使固体器件中除电荷输运外,还加入电子的自旋和磁矩。这一领域的诞生,为突破传统电子学的瓶颈提供了新的方向,有望实现更高速、更低功耗、更高密度的数据存储与处理。

磁性隧道结(MagneticTunnelJunction,MTJ)作为自旋电子学的核心器件,具有独特的结构和性能。它由两个磁性电极之间夹着一层绝缘层构成,当两个磁