先栅工艺GaN基增强型MIS-HEMTs的关键技术与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，随着科技的飞速发展，对功率器件的性能要求日益严苛。传统的硅基功率器件由于其材料本身的物理限制，在面对高电压、高频率以及高温等应用场景时，逐渐显得力不从心。例如，在新能源汽车的快速充电系统中，硅基器件的高导通电阻和低开关频率导致能量损耗较大，充电速度难以满足用户需求；在5G通信基站的射频功放模块里，硅基器件无法有效处理高功率、高频信号，限制了通信质量和覆盖范围。因此，开发新型高性能功率器件成为了电力电子领域的关键任务。

氮化镓（GaN）基器件作为第三代半导体器件的杰出代表，