基本信息
文件名称:2024年1月电机拖动试题与答案(附解析).docx
文件大小:9.91 KB
总页数:19 页
更新时间:2025-05-31
总字数:约6.65千字
文档摘要

2024年1月电机拖动试题与答案(附解析)

一、单选题(共20题,每题1分,共20分)

1.晶闻管交-交变压变频器,采用方波形的交流出控制方式,如果正组桥供电,就给负载提供,如果反组桥供电,就给负载提供;负载上获得的是

A、负电压,正电压,甲流电压

B、正电压,员电压,直流电压

C、正电压,负电压,交流电压

D、负电压,正电压,直流电压

正确答案:D

2.分相式单相异步电动机的定子上嵌有两个单相绕组,一个是绕组,另一个是绕组。两绕组在空间上互差90°电角度。

A、电枢;工作绕组

B、励磁;辅助

C、主;起动绕组

D、电枢;励磁

正确答案:C

答案解析:分相式单相异步电动机的定子上嵌有两个单相绕组,一个是主绕组,另一个是起动绕组。两绕组在空间上互差90°电角度。主绕组是电机正常运行时工作的绕组,起动绕组则是在电机起动时发挥作用,帮助电机建立起旋转磁场,使电机能够顺利起动。

3.三相异步电动机,输入功率P1减去R1和Rm上的损耗Pcu1和pFe后,得到功率。

A、电阳损耗

B、铁损耗

C、电磁

D、机械

正确答案:C

答案解析:三相异步电动机输入功率P1减去定子电阻R1上的铜损耗Pcu1和铁芯的铁损耗pFe后,得到电磁功率。电磁功率是转换为机械功率的基础,之后再减去机械损耗等才得到机械功率。

4.一台接在电网上的电力变压器,获得最高效率的条件是

A、铜耗小于铁耗

B、满载

C、铜耗等于铁耗

D、轻载

正确答案:C

答案解析:当变压器的铜耗等于铁耗时,变压器获得最高效率。因为在这种情况下,总损耗最小。当负载较小时,铁耗占主导,随着负载增加,铜耗逐渐增大,当铜耗增大到与铁耗相等时,此时总损耗最小,效率达到最高。

5.四极异步电动机的旋转磁场的转速比通电频率()定子通工频交流电,旋转磁场速度为每分()转。

A、快,1500

B、慢,3000

C、慢,1500B.快C.1500D.3000

D、快,3000

正确答案:A

6.直流发电机电磁转矩的作用方向与转子的旋转方向

A、垂直

B、相司

C、相反

D、无关

正确答案:D

7.单相异步电动机的转子静止时(n=0),转子对旋转磁场B1的转差率和对旋转磁场B2的转差率均为1。两个磁场的对转子的作用力

A、合力为零

B、为负

C、为正

正确答案:A

答案解析:当转子静止时,旋转磁场B1和B2在转子中感应出的电动势大小相等、方向相反,产生的电流大小相等、方向相反,根据电磁力公式F=BIL,两个磁场对转子的作用力大小相等、方向相反,合力为零。

8.分相式单相异步电动机的定子由圆形铁心、主绕组和副绕组组成。主绕组和副绕组在空间的相对位置差为()电角度

A、180°

B、90°

C、60°

D、45°

正确答案:B

答案解析:分相式单相异步电动机的定子由圆形铁心、主绕组和副绕组组成。主绕组和副绕组在空间的相对位置差为90°电角度。这是分相式单相异步电动机的基本结构特点,通过这种绕组布置方式,利用电容等手段使副绕组电流与主绕组电流产生相位差,从而形成旋转磁场,使电动机能够启动和运行。

9.当电动机以恒定的转速稳定运行时,电磁转矩T与负载转矩T及空载转矩To关系是?

A、相加

B、相减

C、相乘

D、相等

正确答案:D

答案解析:当电动机以恒定转速稳定运行时,电动机处于平衡状态,此时电磁转矩T需要克服负载转矩T和空载转矩To,即电磁转矩T等于负载转矩T与空载转矩To之和,也就是T=T+To,所以电磁转矩T与负载转矩T及空载转矩To关系是相等。

10.把3块磁体从中间等分成6块可获得个磁极

A、8

B、6

C、12

D、10

正确答案:C

答案解析:每块磁体都有两个磁极,把3块磁体从中间等分成6块后,一共是6块磁体,所以磁极总数为6×2=12个。但由于分割后新产生了一些磁极,实际磁极数量大于12个。

11.转子折算后,转子的电率为f2=_____相当于转子处于_____状态。

A、f1y静止

B、f1;不确定

C、f1;正转

正确答案:A

12.在直流电机中,发电机的输入功率等于

A、电磁功率

B、IaUa

C、机械源动装置输入的机械功率

D、输出的机械功率

正确答案:C

答案解析:发电机的输入功率是机械源动装置输入的机械功率,电磁功率是电枢绕组切割磁感线产生的功率,输出的机械功率小于输入功率,IaUa是电磁功率的表达式,所以发电机的输入功率等于机械源动装置输入的机械功率。

13.下列电力电子器件中,属于电流控制型器件。

A、IGBT

B、GTR

C、功率MOSFET

正确答案:B

答案解析:GTR是电流控制型器件,通过控制基极电流来控制集电极电流。而IGBT是电压控制型器件,通过控制栅极电压来控制集电极电流;功率MOSFET也是电压控制型器件,通过控制栅源电压来控制漏极电流。