CoFeO基无场SOT-MRAM翻转特性的测试与研究：从基础原理到性能优化

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，数据存储技术的重要性愈发凸显。随着大数据、人工智能、物联网等领域的蓬勃兴起，对存储技术的性能提出了更高要求，包括存储密度、读写速度、功耗、可靠性以及成本等多个关键方面。传统的存储技术，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（Flash），在面对不断增长的数据量和日益复杂的应用需求时，逐渐暴露出诸多局限性。

磁随机存取存储器（MRAM）作为一种极具潜力的新型存储技术，以其独特的优势成为了研究热点。MRAM利用磁性隧道结（MTJ）来存储数据，通过改变磁矩方向实现