探秘SiCMOSFET栅氧化层：可靠性剖析与NBTI效应洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电力电子技术的飞速发展，对功率器件的性能要求日益严苛。在传统的硅基功率器件逐渐逼近其物理极限的情况下，碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，凭借其卓越的物理特性，成为了新一代功率器件的理想选择。SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）应运而生，展现出诸多传统硅基器件难以企及的优势。

SiCMOSFET具有高工作频率的特点，其开关频率最高可达100MHz，远高于传统硅基MOSFET和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。以新能源汽车的电驱动系统为例，SiCMOSFET