基于CVD法的Ga?O?纳米线网合成及其深紫外探测性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料及其相关器件的研究一直是材料科学和电子学领域的核心内容之一。随着对光电器件性能要求的不断提高，宽禁带半导体材料因其独特的物理性质，成为了研究的热点。氧化镓（Ga?O?）作为一种超宽禁带半导体材料，禁带宽度可达4.5-5.3eV，在深紫外探测、高频功率器件等领域展现出巨大的应用潜力，引起了科研人员的广泛关注。

深紫外探测技术在众多领域都有着不可或缺的应用。在军事领域，可用于导弹预警、卫星通信以及目标探测与识别等。导弹发射时会产生强烈的深紫外辐射，通过高灵