探索GaN基增强型MIS-HEMT器件：制备、机理与前沿应用

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对高频、高功率电子器件的需求日益增长，这推动着半导体材料和器件结构不断革新。在众多半导体材料中，氮化镓（GaN）凭借其独特的物理性质，成为了高频、高功率应用领域的研究焦点。GaN基MIS-HEMT（金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管）器件，作为基于GaN材料的重要器件结构，在电子技术发展中占据着举足轻重的地位。

GaN材料具有宽带隙、高电子漂移速度、高击穿电场以及良好的热导率等优异特性。其宽带隙特性使得器件能够承受更高的电压，减少漏电流，提高器件