ICS31.080.10
CCSL53
团体标准
T/QGCMLXXX—2022
LED芯片技术规范
TechnicalspecificationforLEDchip
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
全国城市工业品贸易中心联合会发布
T/QGCMLXXX—2022
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由上海恩和思科技有限公司提出。
本文件由全国城市工业品贸易中心联合会归口。
本文件起草单位：上海恩和思科技有限公司。
本文件主要起草人：夏启明。
II
T/QGCMLXXX—2022
LED芯片技术规范
1范围
本文件规定了LED芯片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于LED芯片的生产和检验。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T191包装储运图示标志
GB/T4937.19半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度
GB/T4937.22半导体器件机械和气候试验方法第22部分：键合强度
GB/T26125电子电气产品六种限用物质（铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚）的测
定
GB/T26572电子电气产品中限用物质的限量要求
SJ/T11394—2009半导体发光二极管测试方法
SJ/T11395—2009半导体照明术语
SJ/T11486—2015小功率LED芯片技术规范
3术语和定义
SJ/T11394和SJ/T11395界定的术语和定义适用于本文件。
4要求
4.1外观
4.1.1芯片整体
4.1.1.1芯片不应有明显的缺角、裂纹、划伤或气泡。
4.1.1.2芯片各区域尺寸、位置与设计值的偏差不大于10%。
4.1.1.3芯片厚度偏差不应大于10%。
4.1.1.4芯片污染面积不应大于10%。
4.1.2芯片电极
4.1.2.1金属电极表面应均匀，呈现原金属光泽。
4.1.2.2金属电极缺损、划伤、污染面积不应大于10%，中央区域应无缺损。
4.1.2.3金属电极边缘多余金属面积不应大于10%。
4.1.2.4金属电极各部位不应有断开现象。
4.1.3芯片镀层(金属镀层和介质镀层)
芯片正面和背面的镀层脱落不应超过镀层面积的10%。
4.1.4芯片排列
芯片排列应符合下列要求：
a)芯片排列不应连接、倾倒或翻转等现象；
b)单颗芯片偏转角度不应超过15°；
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