压接型IGBT器件内部瞬态电场：精确计算与多元应用探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，压接型绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）器件凭借其卓越的性能，成为了不可或缺的关键组成部分。IGBT作为一种将双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）的低导通电阻和绝缘栅场效应晶体管（InsulatedGateFieldEffectTransistor，IGFET）的高输入阻抗特性集于一身的复合器件，自问世以来，便在电力电子系统中扮演着核心角色。它的出现，为实现高效、可靠的电