化学浴沉积法制备掺杂PbSe薄膜及其光电性能的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电器件领域，掺杂PbSe薄膜因其独特的物理性质和潜在应用价值，受到了广泛关注。PbSe作为一种窄禁带直接带隙半导体材料，具有较高的吸收系数、合适的禁带宽度以及良好的电学性能，在红外探测器、发光二极管、太阳能电池等光电器件中展现出巨大的应用潜力。

红外探测器是光电器件中的重要组成部分，在军事、安防、医疗、工业检测等领域有着广泛的应用。PbSe薄膜由于其对红外光的敏感响应特性，成为制备红外探测器的理想材料之一。通过掺杂特定元素，可以有效地调控PbSe薄膜的电学和光学性能，进一步提高其在红外探测