上海交通大学硕士材料科学根底真题2025年(总分150,考试时间90分钟)
一、单项选择题
化学键中既无方向性又无饱和性的为 。
共价键
金属键
离子键
立方构造的(112)与(113)晶面同属于 晶带轴。
晶体的对称轴中不存在 。
3次对称轴
4次对称轴
5次对称轴
半结晶期是指 。
结晶时间进展到一半时对应的时间
固相量为一半时对应的时间
上述(A)和
fcc晶体假设以100面为外外表，则外表上每个原子的最邻近原子数为 个。
12
6
8
最难以形成非晶态构造的是 。
陶瓷
金属
聚合物
下面关于Schottky和Frenkel缺陷的表述中，错误的为 。
Schottky缺陷同时包含空位和间隙原子
Frenkel缺陷的形成能通常较Schottky缺陷大
同温度下，通常Schottky缺陷的浓度大于Frenkel缺陷
以下Burgers矢量可能表示了简洁立方晶体中的全位错：
A.[100]
B.1/2[110]
C.1/3[111]
下面关于位错应力场的表述中，正确的选项是 。
螺型位错的应力场中正应力重量全为零
刃型位错的应力场中正应力重量全为零
刃型位错的应力场中切应力重量全为零
能进展滑移的位错为 。
肖克利不全位错
弗兰克不全位错
面角位错
铁素体(bcc，点阵常数ab=0.287nm)与奥氏体(fcc，点阵常数af=0.365nm)间可形成K-S
关系([111]b∥[110]f，，则在半共格界面上沿[111]b方向上的位错间距为 。
共晶层片(α+β共)在特定过冷度下生长时，集中所消耗的驱动力约为 。
固相与液相自由能差的全部
固相与液相自由能差的1/2
上述(A)和
由纯A和A_B固溶体形成的互集中偶(柯肯达尔效应)，以下表述正确的选项是 。
俣野面两侧的集中原子其化学势相等：
该集中为上坡集中
空位迁移方向与标记面漂移方向全都
高分子材料存在不同构象的主要缘由是主链上的碳原子可以 。
π键的自旋转
σ键的自旋转
氢键的自旋转
离子化合物中，阳离子比阴离子集中力量强的缘由在于 。
阴离子的半径较大
阳离子更简洁形成电荷缺陷
阳离子的原子价与阴离子不同
室温下橡胶与塑料的不同柔顺性说明 。
塑料的链段可动性比橡胶低
塑料的链节比橡胶长
塑料比橡胶的相对分子质量大
包辛格效应属于 。
塑性形变现象
弹性的不完整性现象
黏弹性现象
单晶材料压缩时假设发生扭折，则以下表述错误的为 。
扭折区域的Schmid因子最大
hcp构造较fcc构造简洁产生扭折
扭折区域可能产生孪晶
多晶体塑性变形时，至少需要 独立的滑移系。
3个
8个
5个
下面关于回复与再结晶机制的差异中，正确的为 。
回复不需要孕育期，而再结晶需要孕育期
回复不需要激活能，而再结晶需要激活能
回复不能降低形变态的应变能，而再结晶将降低形变态的应变能
下面关于对再结晶温度影响的说法中，错误的为 。
冷形变程度越小则再结晶温度越高
在同样的冷变形程度下，原始晶粒尺寸越小则再结晶温度越低
其次相粒子分布越弥散则再结晶温度越低
晶体长大时如生长速率与动态过冷度成正比，则
该晶体与液相的界面为粗糙界面
该晶体与液相的界面为光滑界面
该晶体藉螺型位错长大
由A-B-C组元形成的三元相图，其等边成分三角形(ABC)内平行于AB的直线上任意一点表示 。
C组元的浓度为定值
B与A组元的浓度比为定值
上述(A)和
包晶成分的的合金在平衡凝固时(L+α→β) 。
高熔点组元由α向β内集中
高熔点组元由L向α内集中
高熔点组元由L向β内集中
高分子材料结晶时，晶片越厚，则熔点 。
不变
越低
越高
二、论述题
VC为NaCl品体构造，其晶胞的点阵常数a=0.426nm，试计算其密度(V的相对原子质量为51，C的相对原子质量为12)；试举该晶体在哪个晶面上全为V离子或全为C离子?
假设金属中的空位形成能EV，与温度无关，试证明空位的组态熵(S)随温度的上升而增加。微观状态数W=(N+n)!/(N!n!)。
某fcc晶体中(点阵常数a=0.354nm)，刃位错b=a/2在(111)面上分解形成Shockky不全位错。
试指出该全位错在分解前多余的半原子面指数。(2)试依据几何条件和能量条件写出分解反响。
(3)假设该金属的层错能为0.02J/m2，剪切模量为7×1010Pa，求层错宽度。
以下图为A-B两组元形成的相图。
图示在共晶反响温度(TE)时的成分一自由能曲线。
画出原始成分为30%B的合金(yy虚线)经平衡冷却到室温时的组织。
假设该合金在共晶反响开头前为正常凝固，而在共晶反响时为平衡凝固，求共晶反响刚完毕后α相在